半导体量测检测，主要包含：

一、三大方向
 1、Metrology
 2、Defect inspection
 3、Review
 二、八种分类
 Metrology包含4种分类、Defect inspection包含3种分类、Review包含1种分类

简要介绍如下：

三、Metrology关注方向：
 1、膜厚测量THK（Thickness）
 光学方法量测或半透明薄膜。Film stack可达几百层，金属层几百A（埃，厚度单位，
 ）。如果model建的合理，不同入射光波长下的折射率（n, RI, refractivity index）和k值（消光系数），都可以report出来。

2、光学方法测关键尺寸（OCD，Optical Critical Dimension）
 原理同THK，但加了一套立体建模的算法。这是组强大的3D建模组件，熟练其功能，几乎没什么画不出的结构。

3、层与层之间的套刻OVL（Overlay）
 半导体之难，难在成百上千的步骤前后配合，一步步根据设计目标，做出器件。Process间配合，前后对准是起码的要求。所以，需要monitor.

4、其他
 比如Wafer基体厚度，弯曲翘曲（Bow/Warp），1D/2D stress，晶圆形貌Profiler，四点探针测电阻RS，XPS测dose含量等，AFM（原子力显微镜）/Metal plus（超声波）测台阶高度（Step Height）等。

四、Defect inspection关注方向：
 1、无图形Unpattern缺陷检测
 partical inspection, 包含颗粒的尺寸，位置，种类等。

2、有图像缺陷检测
 Pattern inspection. 机台，涵盖明场暗场等，多种mode和缺陷比对算法，偶尔听人讲起，非常佩服。

3、掩模版缺陷检测
 Reticle inspection.

五、Defect review关注方向
 针对inspection扫出的defect（位置，大小，种类），用OM或SEM，确认其存在。

OM review，显微镜复检。

SEM review，扫描电镜复检，用电子束，精度大概1um左右。扫出的Defect Klaf文件有机会去SEM上review. 但由于SEM与SFS机台的location有offset（尤其是inspection和review机台来源于不同厂商时，位置差异更明显），常需要fine tune recipe或手动寻找。